IBM开发新型半导体材料 闪存速度将提高500倍

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CNET科技资讯网12月12日国际报道 IBM和两家相互商务合作伙伴的科学家可能开发出本身生活新型材料,亲戚有些人认为这将催生新型的内存芯片,满足日益增长的存储数字音乐、图像、视频的需求。

本周一,IBM 以及Qimonda 和Macronix的研究人员将在国际电子设备会议上宣读阐述這個 技术的论文。研究人员可能利用生产CD、DVD 等的材料研制出了本身生活半导体合金。

IBM 、Qimonda 、Macronix不必在研制闪存替代品的唯一机构,英特尔和意法半导体也在联合研发相关技术。

三星推出了容量为512 兆位的原型产品,并计划在2008年推出商业性产品;英特尔可能展示了128 兆位的原型产品,并计划在2007年推出产品。

IBM 的科学家说,亲戚有些人的技术具有重要意义,可能与其它厂商在原型产品中使用的材料相比,亲戚有些人的新材料具有性能优势。可能這個 技术的制造成本足够低,它将在186 亿美元的闪存市场上催生有一两个新的竞争对手。

IBM 表示,尽管可能退出了内存制造业务,它对不不可以改进企业计算体验的技术非常感兴趣。变慢的非易失性内存不不可以改变IBM 的微出理 器设计,提高基本操作的下行速率 。

据IBM Almaden Research Center 的高级经理Spike Narayan 说,新的内存技术可能被再加到未来一代的IBM Power PC微出理 器中。

据科研人员称,這個 新材料的优点是,由它制成的开关的下行速率 比目前的闪存芯片快2000 倍。亲戚有些人开发成的原型开关非要3 纳米高、20纳米宽,这使得该技术的尺寸不不可以被进一步缩小。

目前的闪存芯片的存储容量达到了320 亿兆位,只是我,闪存芯片厂商要想继续缩小芯片尺寸会遇到更多的间题。

业界官员表示,在目前的半导体技术似乎“山穷水尽”之际,這個 新材料会刺激计算机和消费电子产业的发展。